Posted on 2006-03-01 18:57
月亮的太陽 閱讀(317)
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其它
我們可以總結出以下幾點內存優(yōu)化的原則和相關的技巧，供大家參考：
4、CL、tRCD、tRP 為絕對性能參數，在任何平臺下任何時候，都應該是越小越好，調節(jié)的優(yōu)化順序是 CL → tRCD → tRP
5、當內存頁面數為 4 時 ，tRAS 設置短一些可能會更好，但最好不要小于 5。另外，短 tRAS 的內存性能相對于長 tRAS 可能會產生更大的波動性，對時鐘頻率的提高也相對敏感
6、當內存頁面數大于或等于 8 時，tRAS 設置長一些會更好
10、適當加大內存刷新率可以提高內存的工作效率，但也可能降低內存的穩(wěn)定性
小提示：BIOS中內存相關參數的設置要領
Automatic Configuration“自動設置”（可能的選項：On/ Off或Enable/Disable）
可能出現的其他描述為：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手動調整你的內存時序，你應該關閉它，之后會自動出現詳細的時序參數列表。
Bank Interleaving（可能的選項：Off/Auto/2/4）
這里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的內存芯片都是由4個L-Bank所組成，為了最大限度減少尋址沖突，提高效率，建議設為4（Auto也可以，它是根據SPD中的L-Bank信息來自動設置的）。
Burst Length“突發(fā)長度”（可能的選項：4/8）
一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4單通道平臺，建議設為8，如果是Pentium4或AMD 64的雙通道平臺，建議設為4。但具體的情況要視具體的應用而定。
CAS Latency “列地址選通脈沖潛伏期”（可能的選項：1.5/2/2.5/3）
BIOS中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。不用多說，能調多短就調多短。
RAS Precharge Time “行預充電時間”（可能的選項：2/3/4）
BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。通過上文的講述，大家現在應該明白它也是越小越
RAS-to-CAS Delay“行尋址至列尋址延遲時間”（可能的選項：2/3/4/5）
BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。數值越小越好。
Active to Precharge Delay“行有效至行預充電時間”（可能的選項：1……5/6/7……15）
BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。根據上文的分析，這個參數要根據實際情況而定，具體設置思路見上文，并不是說越大或越小就越好。